POLISH SOCIETY FOR CRYSTAL GROWTH

PAWEŁ KEMPISTY I miejsce
Struktura mikroskopowa oraz przebieg podstawowych procesów molekularnych na powierzchni GaN(0001) podczas krystalizacji azotkugalu metoda wodorkowa (HVPE).
Instytut Wysokich Ciśnień PAN, Warszawa
Promotor: Prof. dr hab. Stanisław Krukowski, Instytut Wysokich Ciśnień PAN, Warszawa

IWONA PASTERNAK II miejsce
Synthesis and properties of graphene obtained on metallic and germanium substrates by CVD method.
Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, Warszawa
Promotor: Prof. dr hab. Jacek Baranowski, Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, Zakład Mikro- i Nanotechnologii Półprzewodników Szeroko-przerwowych, Warszawa

KATARZYNA SADECKA wyróżnienie
Efekt plazmoniczny w materiałach eutektycznych na przykładzie Bi2O3-Ag.
Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, Warszawa
Promotor: dr hab. Dorota Anna Pawlak, prof. ITME, Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, Warszawa

© 2016 Polski Towarzystwo Wzrostu Kryształów

projekt i realizacja: JAKO Jakub Kosmalski