Thirteenth International Conference on Crystal Growth (ICCG-13)
wraz z Eleventh International Conference on Vapour Growth and Epitaxy
(ICVGE-11)

W dniach od 30 lipca do 4 sierpnia 2001 r. tuż po Jedenastej Międzynarodowej letniej Szkole Wzrostu Kryształów (Eleventh International Summer School on Crystal Growth; ISSCG-11), w Doshisha University w Kyoto (Japonia) odbyła się pod patronatem Międzynarodowej Organizacji Wzrostu Kryształów (International Organization for Crystal Growth; IOCG) trzynasta Międzynarodowa Konferencja Wzrostu Kryształów (ICCG-13) w połączeniu z Jedenastą Międzynarodową Konferencją na temat Wzrostu z par oraz Epitaksji (ICVGE-11). Konferencja była sponsorowana przez: Radę Naukową Japonii (Science Council of Japan), Japońskie Towarzystwo Fizyki Stosowanej (Japan Society of Applied Physics) oraz Japońskie Stowarzyszenie Wzrostu Kryształów (Japanese Association for Crystal Growth) i wspierana przez Japońskie Ministerstwo Edukacji, Sportu, Kultury, Nauki i Technologii (MEXT) i 18 naukowych towarzystw japońskich (m.in. przez Towarzystwo Fizyczne, Chemiczne, Mineralogiczne i Farmaceutyczne).

Główny Komitet Organizacyjny połączonej konferencji składał się z: (i) komitetu wykonawczego i (ii) komitetu miejscowego. Komitet wykonawczy składał się z: (i) 18 członków wykonawczych, (ii) 16 "zwykłych" członków komitetu oraz (iii) 13 członków podkomitetów. Komitet wykonawczy opracował całą koncepcję organizacji konferencji ze strony naukowej, organizacyjnej i finansowej zaś komitet miejscowy, złożony z 32 członków, był odpowiedzialny za ogólny przebieg konferencji (tzn. za ogólną informację, transport, internet, sale obrad i sesje posterowe, wyżywienie, wycieczki, itp.) oraz za wystawy.

Komitet wykonawczy tworzyli: T. Nishinaga (Meijo University; w latach 1995-2001 Prezes IOCG), Przewodniczący ICCG-13; H. Takei (Osaka University), Vice-Przewodniczący ICCG-13; K. Takahashi (Teikyo University of Science and Technology), Przewodniczący ICVGE-11; T. Ohachi (Doshisha University, Kyoto), Sekretarz; H. Matsunami (Kyoto University), Przewodniczący Programowy. Członkowie komitetu organizacyjnego pochodzili z różnorodnych ośrodków japońskich.

W konferencji udział wzięło 1239 uczestników, w tym 56 osób towarzyszących, z 41 krajów. Oczywiście najsilniej reprezentowanym krajem był Japonia, gospodarz konferencji: 713 osób, co stanowiło około 58\% wszystkich uczestników. Następne silnie reprezentowane kraje to: Rosja (85), USA (64), Niemcy (61), Chiny (40), Korea (39), Ukraina (25), Indie (23), Francja (21), Wielka Brytania (21), Izrael (18), Holandia (15), Tajwan (12), Polska (11). W przypadku niektórych krajów (np. Rosji, Chin, Ukrainy i Indii) rzeczywista liczba uczestników prawdopodobnie była niższa o kilkanaście procent ponieważ w sesjach plakatowych i prezentacjach ustnych nie przedstawiono wielu prac autorów z tych krajów.

Organizatorzy konferencji początkowo otrzymali 1320 abstraktów, z których przed rozpoczęciem konferencji 283 zostały odrzucone przez organizatorów lub wycofane przez samych autorów. W związku z tym w "Abstracts Book'' opublikowano 1137 abstraktów podzielonych na dwie kategorie: G (General sessions) i T (Topical sessions), zaprezentowanych w ogółem 21 tematach do przedstawienia podczas 73-ch sesji tematycznych w formie: a) wykładów, b) prezentacji ustnych połączonych z późniejszymi przedstawieniami plakatowymi w sesjach posterowych oraz c) posterów. Wykłady były głównie 30-to minutowe a ustne prezentacje - 5-cio minutowe. Sesje posterowe trwały 90 minut, jednakże każdy poster był eksponowany od 8.30 do 18.30. Ostatecznie podczas konferencji przedstawiono 970 prac oraz 29 firm, w tych 5 wydawnictw, miało swoje wystawy.

Pierwszy dzień był przeznaczony na rejestrację i recepcję. W drugim dniu uczestników konferencji powitał prof. T. Nishinaga, gospodarz konferencji, a krótką historię światowego ruchu wzrostu kryształów przedstawił jeden z byłych prezesów IOCG prof. R. Kern z Uniwersytetu w Marsylii (Francja). Następnie życzenia owocnych obrad złożyli uczestnikom konferencji przedstawiciele uniwersytetów w Kyoto, prefektury Kyoto i ministerstwa edukacji, kultury i nauki Japonii. życzenia od premiera Japonii, Pana Junichiro Koizumi, przeczytał sekretarz konferencji. Po tej oficjalnej części inauguracji konferencji rozpoczął się maraton równoległych ustnych sesji tematycznych oraz sesji posterowych. W drugim i trzecim dniu trwania konferencji, kiedy wykłady plenarne odbywały się rano, było od 7 do 9 równoległych ustnych sesji tematycznych przed i po przerwie obiadowej, dwie sesje posterowe oraz jedna sesja wieczorna. W czwartym i piątym dniu nie było rano wykładów plenarnych, zaś odbyło się 12 równoległych sesji tematycznych do przerwy obiadowej oraz jedna sesja posterowa. W czwartym dniu po przerwie obiadowej, odbyła się świetnie zorganizowana wycieczka konferencyjna na szczyt góry Heie, połączona z kolacją po japońsku na brzegu jeziora Biwa. W piątym dniu po obiedzie odbyła się kolejna sesja wykładów plenarnych (IOCG Award Lectures; patrz niżej) oraz walne zebranie IOCG.

W ostatnim dniu konferencji miały miejsce ustne sesje tematyczne, przed i po przerwie obiadowej: odpowiednio 8 i 6 sesji równoległych, oraz dwie sesje posterowe. Następnie, po krótkiej przerwie, odbyła się sesja związana z zamknięciem konferencji. Gospodarz konferencji oraz urzędujący prezes IOCG prof. T. Nishinaga przedstawił ogólne sprawozdanie dotyczące uczestników, abstraktów, prac do publikacji jako ``Proceedings'' w Journal of Crystal Growth oraz członków wielu podkomitetów związanych z organizacją ICCG-13. Wyraził on zadowolenie z przebiegu konferencji oraz podziękował wszystkim, którzy brali w niej udział jako uczestnicy i jako organizatorzy. Na koniec nowowybrany prezes IOCG prof. R.F. Sekerka (USA) wyraził wdzięczność gospodarzowi prof. T. Nishinadze za wspaniałą organizację konferencji oraz za gościnność i oficjalnie zamknął konferencję.

Warto tutaj wspomnieć, że podczas walnego zebrania IOCG gospodarze konferencji ICCG-14 i szkoły ISSCG-12 w roku 2004 (Francja i Niemcy) przedstawili swój plan organizacji tych imprez odpowiednio w Grenoble i Berlinie, a gospodarze ICCG-15 i ISSCG-13 w roku 2007 (USA) poinformowali uczestników o generalnej koncepcji organizacyjnej w Salt Lake City. Podano też do wiadomości, że kandydatami do organizacji ICCG-16 i ISSCG-14 w roku 2010 są Polska i Chiny.

Wykłady i ustne prezentacje były przedstawione tematycznie następująco: G01. Fundamentals of crystal growth (5 sesji tematycznych, sala K25, liczba prac 83 [5]); G02. Bulk crystals (5 sesji tematycznych, sala S14, liczba prac 79 [4, z tym 2 jednogodzinne wykłady]); G03. Oxide and Fluoride crystals (10 sesji tematycznych, sala S12, liczba prac 174 [9]); G04. Thin films and epitaxial growth (7 sesji tematycznych, sale M11 oraz SB3, liczba prac 135 [2]); G05. Industrial crystallization (3 sesje tematyczne, sala K35, liczba prac 48 [5]); G06 Protein and biological crystallization (2 sesje tematyczne, sala S14, liczba prac 32 [2]); G07. Growth under microgravity and flows (3 sesje tematyczne, sala S21, liczba prac 41 [2]); G08. Surfaces and interfaces (3 sesje tematyczne, sala SB1, liczba prac 61 [5]); G09. Characterization and {\it in situ} observation (2 sesje tematyczne, sala S21, liczba prac 28 [3]); G10. Novel materials (3 sesje tematyczne, sala S13, liczba prac 27 [3]); G11. Crystal growth general (4 sesje tematyczne, sala G3C, liczba prac 71 [3]); G12. Growth technology (2 sesje tematyczne, sala K32, liczba prac 31 [3]); G13. Film and video (1 sesja, sala M11, liczba prac 8); T01. Self-assembled nanostructure for quantum dots (2 sesje tematyczne, sala S11, liczba prac 18 [3]); T02. Wide band gap materials - nitride (3 sesje tematyczne, sala SB2, liczba prac 81 [5]); T03. Wide band gap materials - SiC and diamond (3 sesje tematyczne, sale M21 oraz SB2, liczba prac 41 [3]); T04. Epitaxial growth of magnetic semiconductors and related structure (2 sesje tematyczne, sala S11, liczba prac 25 [2]); T05. Melt growth fundamentals (2 sesje tematyczne, sala K32, liczba prac 39 [3]); T06. Multinary compounds (2 sesje tematyczne, sala K31, liczba prac 26 [3]); T07. Ferroelectric thin films (2 sesje tematyczne, sala S11, liczba prac 37 [4]); T08. Phase field models of solidification and pattern formation (2 sesje tematyczne, sala K25, liczba prac 23 [4]); LN. Late news (2 sesje, sale S13 oraz S14, liczba prac 38). Powyżej obok liczby prac obejmujących wykłady i ustne prezentacje została zaznaczona w nawiasie kwadratowym liczba wykładów w danej tematyce.

Oprócz dwóch w/w jednogodzinnych wykładów wieczornych w sesji G02 (Silicon crystal growth research from the beginning: T. Abe, Japonia; Recent progress in the melt growth of III-V compound semiconductors: J.B. Mullin, UK) wygłoszono następujących 7 wykładów plenarnych w trzech sesjach (sala M21):

  1. Protein crystal growth in space, past and future: L.J. DeLucas (USA);
  2. Nitride semiconductors, impact on future world: I. Akasaki (Japonia);
  3. First principles calculations for mechanisms of semiconductor epitaxial growth: A. Oshiyama (Japonia);
  4. Crystal growth under microgravity, present results and future prospects towards the international space station: K.W. Benz (Niemcy);
  5. Charged native point defects in GaAs and other III-V compounds: D.T.J. Hurle (UK);
  6. Applications of morphological stability theory: S.R. Coriell (USA);
  7. Experimental analysis and modeling of melt growth processes: G. Mueller (Niemcy).

Wykłady (5) i (6) oraz (7) były związane z przyznaniem D.T.J. Hurle'owi (UK) i S.R. Coriellowi (USA) wspólnej nagrody im. Franka a G. Muellerowi (Niemcy) nagrody im. Laudise'a jako wyraz uznania za ich wkład odpowiednio w teorię i technologię wzrostu kryształów.

Łatwo było zauważyć, że sesje obejmujące podstawowe problemy wzrostu kryształów objętościowych, cienkich warstw oraz epitaksji stanowiły lwią część prac przedstawionych na konferencji (sesje: G01, G02, G03, G04, G11, T02 oraz T03) podczas gdy jednocześnie stosunkowo dużo prac było poświęconych ogólnie kryształom objętościowym a w szczególności tlenkom i fluorkom (sesje: G02, G03) oraz szeroko-przerwowym materiałom typu azotków, SiC oraz diamentu (sesje: T02, T03). Podobnie jak na kilku ostatnich konferencjach z cyklu ICCG, teoria i praktyka morfologii i kinetyki wzrostu kryształów (G01), ogólne aspekty wzrostu kryształów z różnych faz (G-11) oraz zasadnicze zagadnienia teoretyczne i operacyjne krystalizacji przemysłowej miały swoich wielu zwolenników. Ponadto, jak wynikało z przedstawionych prac, mimo szerokiego zainteresowania w ostatnich latach badaniami kryształów białek oraz skomplikowanych związków organicznych, badania dotyczące wzrostu i charakteryzacji klasycznych materiałów typu dwuzasadowego fosforanu potasu (KDP), siarczanu trójglycyny (TGS), niobianu litu, krzemu, GaAs i kwarcu jeszcze nie straciły na aktualności. Jednakże za nowe trendy można uznać: badania nanostruktur w postaci kropek i nanorur, in situ obserwacje powierzchni kryształów objętościowych oraz cienkich warstw, krystalizację w mikrograwitacji i procesy transportowe, krystalizację związków wieloskładnikowych typu chalkopirytów.

Materiały z konferencji zawierające około pięciuset prac ukażą się w trzech tomach czasopisma Journal of Crystal Growth a wszyscy regularni uczestnicy otrzymają je w formie CDROM.

Według autora tego opracowania za bardzo dobrą organizację konferencji należą się jej organizatorom co najmniej trzy razy ukłony po japońsku. Za usterkę organizacyjną można uznać umieszczenie prac o podobnym profilu w różnych tematach. Jednakże z strony organizacyjnej taka sytuacja była nie unikniona z powodu olbrzymiej liczby zgłoszonych prac przy jednoczesnej konieczności spełnienia warunku, aby liczba prac do prezentacji ustnej w sesjach tematycznych była mniej więcej podobna. Z punktu widzenia uczestnika konferencji, taka sytuacja nie umożliwiała śledzenie wszystkich prac, którym był on zainteresowany. Na szczęście staranne wydane abstrakty w grubej "Abstracts Book'', ważącej ponad dwa kilogramy, będą adekwatnie służyły temu pragnieniu.

Należy podkreślić, że Polskę reprezentowało jedynie 9 regularnych uczestników z: Instytutu Technologii Materiałów Elektronicznych (3), Uniwersytetu Śląskiego (2), Instytutu Fizyki PAN, Warszawa (1), Instytutu Technologii Elektronowej, Warszawa (1), Politechniki Lubelskiej (1), Uniwersytetu Warszawskiego (1). Automatycznie nasuwa się więc wniosek, że nawet w porównaniu z niektórymi małymi krajami takimi jak Izrael, Tajwan czy Korea, Polska wypadła słabo mimo, że 4-ch uczestników otrzymało częściowe dofinansowanie od organizatorów jako uznanie za aktywność Polskiego Towarzystwa Wzrostu Kryształów w rozwijaniu nauki o krystalizacji. Przedstawiliśmy 13 prac, w większości w formie prezentacji ustnej, które zbudziły umiarkowane zainteresowanie. Jednakże nie mieliśmy żadnego wykładu zaproszonego, chociaż autor tego podsumowania miał zaszczyt przewodniczyć dwóm sesjom: (G11-2) Crystal Growth General oraz (G05-3) Industrial Crystallization, i recenzować kilka prac przeznaczonych do publikacji w "Proceedings'' konferencji.

Słaby udział polskich naukowców w ICCG-13 jest wynikiem niemożności, z różnorodnych przyczyn na szczeblu zarówno lokalnym jak i centralnym, zdobywania środków nawet w kraju do uprawiania nauki, w tym do utrzymywania kontaktów z innymi krajowymi i zagranicznymi ośrodkami naukowymi oraz w celu uczestnictwa w międzynarodowych konferencjach specjalistycznych. Można spodziewać się, że przy obecnym poziomie finansowania nauki skutki tej polityki będą za kilka lat trudne do odrobienia, nie wspominając o zagrożeniu stanem niemożliwości ponoszenia przez Polskę ciężaru organizacji IOCG-16 w 2010 roku.

Keshra Sangwal
Instytut Fizyki Politechniki Lubelskiej